从事紫外线LED业务的日本Nitride Semiconductor开发出施加100mA电流时，光功率高达48mW的表面封装型紫外线nm。原产品“NS375L-7SFF”施加20mA的电流时，光功率为3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上，从原产品的280μm×280μm扩大到目前的600μm×600μm。
所开发的紫外线mm。工作温度范围为-30～+80℃。将于2008年12月开始样品供货。
从事紫外线LED业务的日本Nitride Semiconductor开发出施加100mA电流时，光功率高达48mW的表面封装型紫外线nm。原产品“NS375L-7SFF”施加20mA的电流时，光功率为3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上，从原产品的280μm×280μm扩大到目前的600μm×600μm。
所开发的紫外线mm。工作温度范围为-30～+80℃。将于2008年12月开始样品供货。
